您所在的位置:主页->产品中心->材料及化工

  • 010-51651689
  • sales@tech-box.com.cn

材料及化工

陶瓷/无机材料多尺度模拟研究

   陶瓷/无机材料是传统材料,但是还有很多性能需要理论研究给出清晰的物理图像。北京泰科提供的解决方案涵盖了陶瓷/无机材料基础研究中的多个问题,如:陶瓷材料生长机理、界面稳定性、热稳定性、电子结构、能带结构、缺陷生成能、合金抗腐蚀性能等。微观描述半导体(钛酸钡、氧化钛、氧化锌)晶体、稀土发光材料、硬质材料(氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硼)等材料。


石墨烯生长机制研究

由6H-SiC晶体生成C富层 

多层C富层时间距:

1.9埃、1.0

6H-SiC与C富层间距:1.9

力场:Tersoff势函数 / TEA势函数


单层石墨烯

  

 

两层石墨烯 

  

分子模拟方法描述石墨烯在6H-SiC表面外延生长;C富层间距有一定规律,1.9埃、1.0......

对比两种键序势函数:Tersoff和TEA势,TEA效果更好;

单层石墨烯生长的退火温度:

    TEA势能:1200K

Tersoff势能:1300K

 



锆(Zr)腐蚀研究

Zr合金是目前核反应堆的主要的燃料包覆材料。其中水侧腐蚀是Zr合金最主要的退化机制。氧化物在ZrO2中的输运决定腐蚀动力学。阳离子向外扩散有助于形成氧化物保护层。采用温度加速动力学和MD方法研究了Zr缺陷在ZrO2四面体间隙位置中迁移行为。间隙Zr在四方相ZrO2具有各向异性扩散性,适合[001]C方向迁移。压应力显著提高间隙Zr原子的迁移能垒。间隙Zr原子在晶界迁移速度明显低于块体氧化物中。


 

应力影响

     应力对Zr间隙原子迁移影响巨大


Zr间隙原子在ZrO2中迁移是各向异性,[001]方向是最佳迁移方向。主要是氧原子的偏移导致的;应力对Zr间隙原子迁移影响巨大。